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真空鍍膜機工作原理

主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。
需要鍍膜的被成為基片,鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來,并且沉降在基片表面,通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。 對于濺射類鍍膜,可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來,并且最終沉積在基片表面,經歷成膜過程,最終形成薄膜。

典型的真空鍍膜,包括了錄像帶,數據磁帶DAT,以及很多電極的制作過程。

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